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45nm工艺下酷睿双核的改进之处

作为[u]2008[/u]年的关注焦点和市场主力之一，45nm工艺的处理器产品一经问世便备受瞩目。从技术角度上说，由于以往降低半导体栅极绝缘介质厚度的方法已经无法继续使用，因此45nm工艺的完善完全不像从90nm升级至65nm那么简单，但在High-K和金属栅极在45nm工艺上的顺利实现之后，原有的漏电问题得到了明显的改善，45nm工艺的处理器产品应运而生。
[table][tr][td][img]http://x.xinnethz.net/attachments/2008/06/20_200806172311251LWLt.jpg[/img][/td][/tr][tr][td]早期45nm新品的广告[/td][/tr][/table]　　和65nm的处理器产品相比，45nm产品可以在同样面积的晶圆中集成更多的晶体管，有助于进一步提升产品性能并降低成本，对于桌面用户来说最实际的意义就是，我们可以在同样的价格上买到频率更高、缓存更大的酷睿处理器。可以说，45nm工艺产品的现身，使得intel在2008年桌面市场的路线更加清晰。
[color=#ff0000][b]　　[/b][/color][color=#000000]从架构上说，除了45nm工艺带来的电气改进之外新的Penryn微架构主要有5方面的改进：[b]Intel[/b][b] Wide Dynamic Execution（[/b][b]Intel[/b][b]宽动态执行）、[/b][b]Intel[/b][b] Advanced Smart Cache（[/b][b]Intel[/b][b]先进智能缓存）、[/b][b]Intel[/b][b] Smart Memory Access（[/b][b]Intel[/b][b]智能[/b][b]内存[/b][b]存取）、Intel Advanced Digital Media Boost（Intel先进数字媒体增强）、Intel Intelligent Power Capability（Intel智能[/b][b]电源[/b][b]特性）[/b]。[/color]
[align=center][table][tr][td][img]http://x.xinnethz.net/attachments/2008/06/20_200806172311252ioD8.jpg[/img][/td][/tr][/table][/align]　　以上的特性我们在以往45nm相关评测文章中已经做出了详细解析，在此不再赘述。而其中对于桌面用户最为重要的莫过于Intel先进数字媒体增强这项技术，它的内容包含了对数字媒体的一系列优化、增强，包括了SSE4指令集的加入，以及全新的Super Shuffle Engine超级传送引擎。其中Penryn搭载的47条SSE4.1特别为多媒体而优化，在相关应用方面可以提升100%多的性能（DivX 6.6 Alpha编码测试），在图形、图像方面也有着较大的提升。